關鍵字: PVD CVD IMP
(1) 將PVD與CVD整合在同一系統上
隨著元件的尺寸繼續縮小，傳統的濺鍍方法已無法勝任小於0.25μm的製程。IMP則可以提供一合適的新製程，以應用於下一代製程的需求。然而由於現今IMP TiN製程尚未完全成熟，而嘗試利用IMP來沈積Al，則可能會因IMP的電漿溫度，接近Al的熔點，而有無法運用之憾。為了解決此一難題，相信CVD TiN以及CVD Al將會有極大的可能，與IMP同時應用，而形成一完整的PVD/CVD整合系統。舉例來說，Ti/TiN的反擴散層，可以應用IMP Ti及CVD TiN在同一系統內，依序連續使用二個沈積室來加以完成。如此不僅不需使用各別的PVD及CVD兩套設備，更可因為製程未中斷暴露於大氣之中，而避免了界面氧化、吸濕及微塵等問題，而提高了晶片的良率與元件的電性及可靠性。
(2) 發展低溫PVD製程，以保證低介電常數之介電化合物。
(3) 當線寬0.18μm以下的世代來臨時，銅製程是否能成功地取代鋁製程以及反擴散層Ta/TaN/Wn技術是否成熟？如上所述，均是未來非常值得研究而且迫切需要發展的課題。
參考文章LINK: http://elearning.stut.edu.tw/m_facture/Nanotech/Web/ch3.htm
沒有留言:
張貼留言